[17a-313-1~10] 8.4 Plasma etching

△ [17a-313-6] Ag film etching by using halogen gas plasma

〇Kenichi Yoshikawa¹, Atsuki Asano², Yudai Miyawaki², Kazuhito Furumoto¹, Toshiyuki Sasaki¹, Keisuke Kikutani¹, Hisataka Hayashi¹, Makoto Sekine², Masaru Hori² (1.Toshiba Corp., 2.Nagoya Univ.)

Keywords:Plasma Etching, Silver, Halogen gas

銀は、低抵抗材料として半導体デバイスへの適用が検討されているが、凝集や腐食を起こしやすい金属として知られている。本研究では、ハロゲンガスプラズマによる銀のエッチング特性を評価した。またIn-Situ XPS及びAFM測定を行い、大気暴露前の表面状態を観察した。