[17a-313-1~10] 8.4 Plasma etching

△ [17a-313-8] First Principle Study on the Effects of Hydrogen on Transparent Conducting Oxide Etching

〇HU LI¹, Pascal Friederich², Karin Fink², Wolfgang Wenzel², Kazuhiro Karahashi¹, Masanaga Fukasawa³, Kazunori Nagahata³, Tetsuya Tatsumi³, Satoshi Hamaguchi¹ (1.Osaka Univ., 2.KIT, 3.Sony)

Keywords:Transparent Conducting Oxides, Etching, First Principle Calculation

光電子デバイスの微細化の発展と共に、更なる微細加工が要求され、透明電極材料であるITOやZnOのエッチング反応機構の解明が必要となる。ビーム実験から水素イオン照射により、水素含有層が形成され、エッチング反応に促進効果を与えることが明らかになった。今回は、水素含有層の形成とエッチングメカニズムの理解を目指し、第一原理計算を行った。その結果から、水素が入ることにより、OHの形成と共に、ZnとO原子が容易にスパッタされることが分かった。