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一般セッション(口頭講演)

8 プラズマエレクトロニクス » 8.3 プラズマ成膜・表面処理

[17a-315-1~15] 8.3 プラズマ成膜・表面処理

2017年3月17日(金) 09:00 〜 13:00 315 (315)

荻野明久(静岡大)、市來龍大(大分大)

10:30 〜 10:45

△ [17a-315-7] リモート窒素プラズマ中の窒素原子密度の放電管温度依存性

〇嶋林正晴¹、栗原一彰²、佐々木浩一¹ (1.北大工、2.Toshiba/Imec)

キーワード：SiC、窒素プラズマ