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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.1 強誘電体薄膜

[17a-411-1~11] 6.1 強誘電体薄膜

6.1と13.3と13.5のコードシェアセッションあり

2017年3月17日(金) 09:00 〜 12:00 411 (411)

安井伸太郎(東工大)、吉田慎哉(東北大)

09:45 〜 10:00

[17a-411-4] O₃を用いたMOCVD法によるBiFeO₃薄膜の作製

〇(B)吉村奈緒¹、藤沢浩訓¹、中嶋誠二¹、清水勝¹ (1.兵庫県立大・工)

キーワード：BiFeO3、MOCVD、オゾン