The 64th JSAP Spring Meeting, 2017

Presentation information

Oral presentation

6 Thin Films and Surfaces » 6.3 Oxide electronics

[17a-419-1~12] 6.3 Oxide electronics

Fri. Mar 17, 2017 9:00 AM - 12:15 PM 419 (419)

Ota Kensuke(Toshiba)

11:30 AM - 11:45 AM

[17a-419-10] Fabrication of the epitaxial SnxFe3-xO4 films on MgO(100)

Masato Araki1, Hiroki Kajita1, Takashi Yanase1, Toshihiro Shimada1, 〇Taro Nagahama1 (1.Hokkaido Univ.)

Keywords:Magnetic Oxide, Spintronics

MFe2O4で表されるスピネルフェライトは高いキュリー温度を持つ酸化物磁性体である。酸化物エレクトロニクス分野では、スピネルフェライトをFETのチャネル層として活用しようとする試みが報告されている。多くはMとして3d遷移金属が導入され半導体的な伝導性を獲得している。これらの報告ではFET動作には成功しており、移動度などの特性の大幅な改善が課題となっている。本研究では室温で金属的な伝導を示すFe3O4に第5周期金属であるSnを添加したSnxFe3−xO4エピタキシャル薄膜を得ることに成功し、その伝導特性や磁気特性を評価した。