[17a-419-1~12] 6.3 Oxide electronics

[17a-419-8] Memory Effect on Co, Si-substituted Lu₃Fe₅O₁₂ Cluster Spin Glass Thin Films

〇Hiroyasu Yamahara¹, Keita Mitsuhashi¹, Munetoshi Seki¹, Hitoshi Tabata¹ (1.Univ. of Tokyo)

Keywords:rare-earth iron garnet, spin glass, spin pumping

スピングラスはランダムネスとフラストレーションの磁気相関により、低温でスピン凍結状態をとる物質である。スピン凍結状態ではメモリ効果と呼ばれるスピングラスに特徴的な磁気記憶を示し、応用上、興味深い性質として注目されている。本研究ではスピン波/電圧変換材料としての応用が期待されている希土類鉄ガーネットを対象とし、元素置換によりクラスターグラス相を実現したLuFe_5-2xCo_xSi_xO₁₂薄膜における熱履歴記憶現象（メモリ効果）及びPt/LFCSヘテロ構造の逆スピンホール電圧について報告する。