[17a-503-1~13] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17a-503-11] HVPEによるファセット制御成長を行ったGaNの転位種の評価

〇在田 直起¹、松原 徹²、行實 孝太¹、井本 良¹、岡田 成仁¹、只友 一行¹ (1.山口大学院・創成科学、2.(株)UBE科学分析センター)

キーワード：GaN、転位