[17a-503-1~13] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [17a-503-6] Suppression of polycrystalline formation for thick-GaN growth by Oxide Vapor Phase Epitaxy

〇Yoshikazu Gunji¹, Yohei Yamagucji¹, Yuki Taniyama¹, Akira Kitamoto¹, Masayuki Imanishi¹, Mamoru Imade¹, Masashi Isemura², Yusuke Mori¹ (1.Osaka Univ, 2.Itochu Plastics Inc)

Keywords:semiconductor, GaN

GaNウェハ作成の低コスト化には、大型かつ高品質のバルク結晶育成が重要である。我々が行っているGa₂Oを用いた気相成長では、排気系を詰まらせる固体の副生成物が発生しないため、原理的に長時間の育成が期待できる。我々はこれまでに1時間以内での短時間成長においては高品質結晶の高速成長(100µm/h以上)ができることを報告した。しかしながら、成長時間を増加させると多結晶が生成し厚膜化に至っていない。そこで本研究では、水素キャリアガスを用いて成長時間増加時におけるGaN多結晶生成の抑制を試みたので報告する。