[17a-503-1~13] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [17a-503-6] OVPE法による長時間厚膜GaN成長に向けた多結晶生成の抑制

〇郡司 祥和¹、山口 陽平¹、谷山 雄紀¹、北本 啓¹、今西 正幸¹、今出 完¹、伊勢村 雅士²、森 勇介¹ (1.阪大・工、2.伊藤忠プラスチックス（株）)

キーワード：半導体、窒化ガリウム

GaNウェハ作成の低コスト化には、大型かつ高品質のバルク結晶育成が重要である。我々が行っているGa₂Oを用いた気相成長では、排気系を詰まらせる固体の副生成物が発生しないため、原理的に長時間の育成が期待できる。我々はこれまでに1時間以内での短時間成長においては高品質結晶の高速成長(100µm/h以上)ができることを報告した。しかしながら、成長時間を増加させると多結晶が生成し厚膜化に至っていない。そこで本研究では、水素キャリアガスを用いて成長時間増加時におけるGaN多結晶生成の抑制を試みたので報告する。