[17a-F204-1~9] 3.15 シリコンフォトニクス

△ [17a-F204-9] 受信用グレーティングカプラの低偏波依存動作の実証

〇蘇武 洋平¹、鄭 錫煥¹、田中 有¹ (1.PETRA)

キーワード：グレーティングカプラ、偏波依存性、シリコンフォトニクス

シリコンフォトニクスを利用した光トランシーバーの受信側において、光ファイバ結合素子として利用される受信用グレーティングカプラ(GC)の偏波依存性低減を、シミュレーション解析およびデバイスの測定により検証した。偏波依存性の発生要因を偏波間のピーク結合効率差と中心波長シフトに切り分け、それぞれGCの散乱体の配列と形状を最適化することで、60nm以上の広波長帯域にわたって、偏波依存性を0.5dB以下に低減することができた。