[17a-P5-1~23] 12.4 有機EL・トランジスタ

[17a-P5-1] 異なる炭素長配位子のCuInZnS量子ドットを用いたQLED評価

〇牧 純也¹、菱沼 賢智¹、佐々木 宏尚¹、福田 武司¹、鎌田 憲彦¹、本多 善太郎¹ (1.埼玉大理工)

キーワード：量子ドットLED、配位子交換、半導体量子ドット

半導体量子ドットを発光層に用いたQLED (Quantum-Dot Light-Emitting Diode) は、高い色純度と蛍光量子収率からディスプレイや照明などへの応用が期待されている。この量子ドットには絶縁性の有機分子が配位結合しており、QLEDの発光特性を向上させるためにはその制御が重要である。本研究では、CuInZnS量子ドットの配位子（アルキルチオール）の炭素数を変化させたQLED特性を評価した。