[17a-P5-1~23] 12.4 Organic light-emitting devices and organic transistors

[17a-P5-2] Study on High Efficiency of Light-Emitting Device Using InP/ZnS Quantum Dot

〇Hironao Sasaki¹, Masatomo Hishinuma¹, Junya Maki¹, Takeshi Fukuda¹, Norihiko Kamata¹, Zenrtaro Honda¹ (1.Saitama Univ.)

Keywords:quantum dot, InP/ZnS, light-emitting device

本研究では、毒性の低いInP/ZnS量子ドット－トルエン分散液の濃度を変化させて、発光素子における濃度の最適化を検討した。
実験方法としては、ITO付きガラス基板上にZnO、InP/ZnS量子ドットの順に、スピンコート法で成膜した。その後、真空蒸着法でCBP (40 nm) / MoO₃ (10 nm) / Alの順で成膜した。
実験結果としては、濃度が高いほど、輝度の立ち上がり電圧が高電圧側にシフトした。濃度が10 mg/mlのときに最大20 cd/m²の輝度を記録した。