[17p-211-1~12] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[17p-211-1] Improvement of SiNx/c-Si interface quality under room temperature

〇(M2)Junichiro Miyaura¹, Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST)

Keywords:minority carrier lifetime, room temperature

Cat-CVDでSiN_x膜を堆積した結晶Siを室温放置することにより、界面特性が改善する現象を発見した。堆積直後は280 µs程度だった少数キャリア寿命が、日数が経過するごとに増加した。真空保管、大気雰囲気保管に関わらず、光照射下で保管した試料において、より顕著な少数キャリア寿命の増加が確認された。界面特性の改善は、室温下でSiN_xから供給される水素による欠陥終端がなされ、さらにそれが光照射により促進されている可能性が考えられる。