[17p-211-1~12] 16.3 シリコン系太陽電池

[17p-211-1] 室温放置によるSiNx/c-Si 界面特性の改善

〇(M2)宮浦 純一郎¹、大平 圭介¹ (1.北陸先端大)

キーワード：少数キャリア寿命、室温

Cat-CVDでSiN_x膜を堆積した結晶Siを室温放置することにより、界面特性が改善する現象を発見した。堆積直後は280 µs程度だった少数キャリア寿命が、日数が経過するごとに増加した。真空保管、大気雰囲気保管に関わらず、光照射下で保管した試料において、より顕著な少数キャリア寿命の増加が確認された。界面特性の改善は、室温下でSiN_xから供給される水素による欠陥終端がなされ、さらにそれが光照射により促進されている可能性が考えられる。