[17p-211-1~12] 16.3 シリコン系太陽電池

[17p-211-10] 熱ALDによるAlO_x層成膜時の酸化剤とパッシベーション性能の関係

市川 寛章¹、高橋 勲¹、〇宇佐美 徳隆¹、白澤 勝彦²、高遠 秀尚² (1.名大院工、2.産総研福島)

キーワード：パッシベーション、アルミナ、熱ALD

本研究ではAlO_x層製膜時における酸化剤としてH₂OとO₃を用いた2種類の試料を作製し、キャリアライフタイムの比較を行った。また、光照射前後におけるキャリアライフタイムの変化に基づき、AlO_x層の膜質について考察を行った。その結果、AlO_x層成膜時に酸化剤としてO₃を用いることにより、AlO_x層中の欠陥準位形成が抑制され、SiN_x:H/AlO_xスタック構造により高キャリアライフタイムの実現が可能なことを示した。