[17p-301-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[17p-301-5] O₂共存H₂O雰囲気での界面近傍酸化膜成長による4H-SiC MOSFET移動度向上

〇(DC)平井 悠久¹、喜多 浩之¹ (1.東大院工)

キーワード：SiC、移動度、ウェット酸化

4H-SiC/SiO₂界面品質制御のために、O₂共存H₂O雰囲気での共存酸化処理に着目してMOSFET移動度への影響を評価した。比較的低温の800^oCにおける共存酸化を、界面近傍の酸化膜を形成するのみに限定して作用させることで、1100^oCのウェット酸化の場合に比べて、高い移動度を実現しつつ、V_fbの安定性増大を抑制できることがわかった。