[17p-304-1~15] CS.2 6.1強誘電体薄膜,13.3絶縁膜技術,13.5デバイス／集積化技術のコードシェア

[17p-304-13] 負性容量トランジスタに向けた強誘電性HfZrO₂膜における負性容量の直接観測

〇上山 望¹、小林 正治¹、平本 俊郎¹ (1.東大生研)

キーワード：強誘電体、負性容量