[17p-304-1~15] CS.2 6.1強誘電体薄膜,13.3絶縁膜技術,13.5デバイス／集積化技術のコードシェア

△ [17p-304-14] 強誘電体HfO2ダブルゲート負性容量FETの動特性に関する考察

〇(DC)Jang Kyungmin¹、上山 望¹、小林 正治¹、平本 俊郎¹ (1.東大生研)

キーワード：負性容量FET、強誘電体HfO2、急峻スロープFET