2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

CS コードシェアセッション » CS.2 6.1強誘電体薄膜,13.3絶縁膜技術,13.5デバイス／集積化技術のコードシェア

[17p-304-1~15] CS.2 6.1強誘電体薄膜,13.3絶縁膜技術,13.5デバイス／集積化技術のコードシェア

2017年3月17日(金) 13:00 〜 17:00 304 (304)

齋藤 真澄(東芝)、藤沢 浩訓(兵庫県立大)

15:15 〜 15:30

▲ [17p-304-9] Dopant-independent maximum Pr of doped ferroelectric HfO2

〇(D)Xu Lun1、Shibayama Shigehisa1、Nishimura Tomonori1、Yajima Takeaki1、Migita Shinji2、Toriumi Akira1 (1.The Univ. of Tokyo、2.AIST)

キーワード：ferroelectric, HfO2