[17p-313-1~16] 8.7 プラズマ現象・新応用・融合分野

[17p-313-1] ヘキサメチルジシランの解離フラグメントの低エネルギーイオンビーム生成とシリコンカーバイド成膜

〇吉村 智¹、杉本 敏司¹、木内 正人^1,2 (1.阪大工、2.産総研)

キーワード：シリコンカーバイド、ヘキサメチルジシラン、フラグメント

本研究では、可燃性はあるが比較的安全に扱うことのできるヘキサメチルジシランを原料として用いて、SiC成膜を試みた。はじめに、ヘキサメチルジシランで立てたプラズマ内に存在するフラグメントイオン種の分析を行った。その結果、フラグメントイオンは、H, H₂, C, CH₃, Si, SiCH₄, SiC₂H₆, SiC₃H₉であることが分かった。次に、SiCH₄, SiC₂H₆, SiC₃H₉のイオンビームをそれぞれ生成し、シリコン基板に照射した。その結果、いずれの場合でも3C-SiC膜の生成を確認した。