[17p-419-1~10] 6.3 Oxide electronics

[17p-419-3] Fabrication of NiO thin films by annealing Ni(OH)2 precursor deposited by galvanostatic electrochemical deposition

〇(B)Miki Koyama¹, Masaya Ichimura¹ (1.Nagoya Inst.)

Keywords:Nickel Oxide, Electrochemical deposition, Nickel Hydroxide

金属酸化物などの透明な伝導性材料はn型の伝導性を取るものがほとんどであるが、NiOは約3.6 eVのワイドバンドギャップをもつ数少ないp型半導体材料である。過去に本研究室より、電気化学堆積(ECD)法によってNi(OH)₂を堆積し熱処理することでNiOを作製できる事が報告されている。その際は定電位で堆積をしたが、今回は定電流堆積を行いその電流値を変化させた。そして、気泡発生を伴う大きな電流値で透明、均一な膜が得られることを見出した。