[17p-419-1~10] 6.3 Oxide electronics

[17p-419-4] N type AlOx thin films fabricated by drop photochemical deposition

〇(B)Masanari Umemura¹, Masaya Ichimura¹ (1.Nagoya Inst. of Tech.)

Keywords:semiconductor, oxide film, aluminum oxide

AlO_xは大きなバンドギャップから可視光に対して透明であり化学的、熱的に安定な物質である。本研究室より、基板に溶液を滴下して上部から光を照射することで堆積が可能なドロップ光化学堆積(d-PCD)法によるAlO_x堆積を報告しているが、作製された膜のO/Al比は約 1.2を示しており、酸素欠陥を含んでいる可能性がある。本研究ではd-PCD法によってAlO_x薄膜を堆積したのちに薄膜の評価を行った。その結果、微小ではあるがn型の導電性を持つ事がわかった。