[17p-419-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[17p-419-3] Ni(OH)2前駆体の定電流電気化学堆積と熱処理によるNiO薄膜作製

〇(B)古山 実季¹、市村 正也¹ (1.名工大)

キーワード：酸化ニッケル、電気化学堆積、水酸化ニッケル

金属酸化物などの透明な伝導性材料はn型の伝導性を取るものがほとんどであるが、NiOは約3.6 eVのワイドバンドギャップをもつ数少ないp型半導体材料である。過去に本研究室より、電気化学堆積(ECD)法によってNi(OH)₂を堆積し熱処理することでNiOを作製できる事が報告されている。その際は定電位で堆積をしたが、今回は定電流堆積を行いその電流値を変化させた。そして、気泡発生を伴う大きな電流値で透明、均一な膜が得られることを見出した。