[17p-419-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[17p-419-4] 溶液を基板に滴下した光化学堆積法によって作製したn型AlOx薄膜

〇(B)梅村 将成¹、市村 正也¹ (1.名工大)

キーワード：半導体、酸化膜、酸化アルミニウム

AlO_xは大きなバンドギャップから可視光に対して透明であり化学的、熱的に安定な物質である。本研究室より、基板に溶液を滴下して上部から光を照射することで堆積が可能なドロップ光化学堆積(d-PCD)法によるAlO_x堆積を報告しているが、作製された膜のO/Al比は約 1.2を示しており、酸素欠陥を含んでいる可能性がある。本研究ではd-PCD法によってAlO_x薄膜を堆積したのちに薄膜の評価を行った。その結果、微小ではあるがn型の導電性を持つ事がわかった。