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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-503-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

2017年3月17日(金) 13:45 〜 16:30 503 (503)

有田宗貴(東大)、ホームズマーク(東大)

15:15 〜 15:30

[17p-503-6] InGaN系LED構造における非輻射再結合中心充填過程の転位密度依存性

〇室谷英彰¹、山田陽一² (1.徳山高専、2.山口大院・創成科学)

キーワード：内部量子効率、InGaN系LED