The 64th JSAP Spring Meeting, 2017

Presentation information

Oral presentation

13 Semiconductors » 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

[17p-E206-1~7] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

Fri. Mar 17, 2017 1:45 PM - 3:30 PM E206 (E206)

Masato Sone(Titech)

2:15 PM - 2:30 PM

[17p-E206-3] Properties of self-reductive Cu submicron particle paste

〇(M2)Hiroki Yoshikawa1, Shijo Nagao2, Takahiko Sakaue3, Yoichi Kamikoriyama3, Takahumi Sasaki4, Noriko Kagami2, Tohru Sugahara2, Jinting Jiu2, Katsuaki Suganuma2 (1.Osaka Univ., 2.Osaka Univ. ISIR, 3.Mitsui Mining & Smelting, 4.Hikoshima Smelting)

Keywords:Packaging, Cu sinter joining

200℃以上の厳しい環境下にて高信頼性が必要になる次世代パワーデバイスのダイアタッチとして、Cu焼結接合は、高耐熱特性に加えて、コストパフォーマンスに優れた接合方法である。本研究では、銅サブマイクロ粒子に溶媒として還元性を有するポリエチレングリコールを使用した。溶媒と焼成条件を最適化することで、接合層における溶媒の残渣とCuの酸化を最小限に抑え、窒素雰囲気下、250℃にて30MPaを超える高いせん断強度を実現した。