[17p-P2-1~13] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[17p-P2-12] GaAsSb/GaAs(001)上の高密度InAs量子ドット層の発光特性

〇(B)杉山 涼¹、秋元 直己¹、曽我部 東馬²、山口 浩一¹ (1.電通大　基盤理工、2.電通大　i-PERC)

キーワード：MBE、量子ドット