[17p-P2-1~13] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[17p-P2-8] MBE growth temperature dependence of the luminescence from Er doped GaAs

〇Daisuke Igarashi¹, Kengo Takamiya¹, Shuhei yagi¹, Takashi Ito², Hidehumi Akiyama², Hiroyuki Yaguchi¹ (1.Saitama Univ., 2.ISSP, Univ. Tokyo)

Keywords:MBE, GaAs, Erbium

Erをドープした半導体は長距離光通信用デバイスへの応用が期待されている。我々はこれまでに、ErドープGaAsをMBEによって作製する際に生じる表面偏析が低温成長によって抑制可能であることと、その一方で低温成長によって作製したErドープGaAsでは発光強度が著しく減少することについて報告してきた。今回、様々な成長温度で作製したErドープGaAsからの発光について調べた結果、発光強度だけでなく、発光スペクトル形状が成長温度に強く依存することがわかったので報告する。