[17p-P2-1~13] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[17p-P2-8] ErドープGaAsからの発光のMBE成長温度依存性

〇五十嵐 大輔¹、高宮 健吾¹、八木 修平¹、伊藤 隆²、秋山 英文²、矢口 裕之¹ (1.埼玉大院理工、2.東京大物性研)

キーワード：MBE、ガリウムヒ素、エルビウム

Erをドープした半導体は長距離光通信用デバイスへの応用が期待されている。我々はこれまでに、ErドープGaAsをMBEによって作製する際に生じる表面偏析が低温成長によって抑制可能であることと、その一方で低温成長によって作製したErドープGaAsでは発光強度が著しく減少することについて報告してきた。今回、様々な成長温度で作製したErドープGaAsからの発光について調べた結果、発光強度だけでなく、発光スペクトル形状が成長温度に強く依存することがわかったので報告する。