[17p-P3-1~22] 15.4 III-V-group nitride crystals

[17p-P3-1] Study of surface states on GaN single-crystalline layer

〇Ai Mizuno¹, Tsubasa Yoshimura¹, Wataru Watanabe¹, Keita Gomi¹, Ki Ando¹, Hiroyuki Shinoda¹, Nobuki Mutsukura¹ (1.Tokyo Denki Univ.)

Keywords:GaN, Thermal Desorption Spectrometry, Native Oxide

本研究では，昇温脱離ガス分析法(Thermal Desorption Spectrometry：TDS)を用いて，エピタキシャル成長したGaN層の表面状態について検討した．その結果，GaN層には比較的低温領域で解離するGa－O結合が存在し，これはGaN層の表面に形成された自然酸化膜(酸化ガリウム)の可能性が高いと解った．