[17p-P3-1~22] 15.4 III-V-group nitride crystals

[17p-P3-2] Characterization of AlON buffer layer to improve GaN growth on sapphire substrate

〇taiki hata¹, Takahiro Yamazaki¹, Yusuke Yamane¹, Kazuhide Kumakura², Hideki Yamamoto², Toshiki Makimoto¹ (1.Waseda Univ., 2.NTT BRL.)

Keywords:MBE, GaN, AlON

我々は、MOVPE法において、サファイア基板上に窒化物半導体を成長する際にAlONバッファー層を用いる方法を開発した 。そして、RF-MBE法を用いたGaN層の成長においてもAlONバッファー層の有用性を示した 。しかしながら、GaN層の成長に対するAlONバッファー層の役割については、必ずしも明らかになってはいない。そこで、本研究では、バッファー層としての成長機構解明とGaN層の更なる品質向上に向けて、AlONバッファー層自体の物性評価を行ったので報告する。