[17p-P3-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-P3-14] Ga蒸気を用いるGaN薄膜の化学気相成長の基礎的検討

〇(M1)長瀬 剛¹、深澤 研介¹、増田 裕一郎¹、光野 徹也¹、小南 裕子¹、原 和彦^2,3 (1.静岡大工、2.創造科学技術大学院、3.静岡大電子研)

キーワード：窒化ガリウム、化学気相法、薄膜成長