[17p-P3-1~22] 15.4 III-V-group nitride crystals

[17p-P3-20] Influence of underlying substrates on device performance InGaN/GaN MQW solar cells grown by MOCVD

〇Miki Ota¹, Takuma Mori¹, Makoto Miyoshi¹, Takashi Egawa¹ (1.Nagoya Inst Univ.)

Keywords:solar cell, MQW, substrate

MOCVD法によるInGaN/GaNエピ構造の格子歪みや結晶品質が成長用下地基板に依存することを利用し、これらのキャリア取り出し効率を含めたMQW太陽電池特性への影響を調べたので報告する。