The 64th JSAP Spring Meeting, 2017

Presentation information

Poster presentation

15 Crystal Engineering » 15.4 III-V-group nitride crystals

[17p-P3-1~22] 15.4 III-V-group nitride crystals

Fri. Mar 17, 2017 1:30 PM - 3:30 PM P3 (BP)

1:30 PM - 3:30 PM

[17p-P3-20] Influence of underlying substrates on device performance InGaN/GaN MQW solar cells grown by MOCVD

Miki Ota1, Takuma Mori1, Makoto Miyoshi1, Takashi Egawa1 (1.Nagoya Inst Univ.)

Keywords:solar cell, MQW, substrate

MOCVD法によるInGaN/GaNエピ構造の格子歪みや結晶品質が成長用下地基板に依存することを利用し、これらのキャリア取り出し効率を含めたMQW太陽電池特性への影響を調べたので報告する。