[17p-P3-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-P3-20] MOCVD法によって成長したInGaN/GaN MQW太陽電池における成長基板の影響

〇太田 美希¹、森 拓磨¹、三好 実人¹、江川 孝志¹ (1.名工大工)

キーワード：太陽電池、多重量子井戸、基板

MOCVD法によるInGaN/GaNエピ構造の格子歪みや結晶品質が成長用下地基板に依存することを利用し、これらのキャリア取り出し効率を含めたMQW太陽電池特性への影響を調べたので報告する。