[17p-P3-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-P3-22] 界面エネルギー計算に基づくAlN(000-1)基板上のAlNおよびGaNの極性反転に関する理論的検討

〇内野 基¹、秋山 亨¹、中村 浩次¹、伊藤 智徳¹ (1.三重大院工)

キーワード：窒化物半導体、極性反転、第一原理計算