[17p-P3-1~22] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [17p-P3-7] Dependence on growth conditions in selective-area growth of GaN nanowires using RF-plasma-assisted molecular beam epitaxy

〇Naoto Tamaki^1,2, Yuya Yamamoto^1,2, Akihito Sonoda^1,2, Junichi Motohisa^1,2 (1.IST Hokkaido Univ., 2.RCIQE Hokkaido Univ.)

Keywords:GaN, selective-area-growth of nanowire, MBE

未開拓領域であるテラヘルツ帯は、大容量通信への利用が期待されているが、FET高速化のためにゲート長を短くすると、短チャネル効果により、スイッチング動作が困難になる。三次元構造である縦型ナノワイヤ(NW) FETは、サラウンディングゲート構造による優れたゲート制御性を有し、この問題の解決が期待できる。本研究では、縦型FETに適したGaN NW作製を目的とし、GaN NWの選択成長と、その成長条件依存性を明らかにしたので報告する。