[17p-P3-1~22] 15.4 III-V-group nitride crystals

[17p-P3-6] Initial Nuclei Formation in RF-MBE InN growth on Porous Epitaxial Graphene/4H-SiC Substrate

〇Daiki Ishimaru¹, Taiji Terai², Akihiro Hashimoto¹ (1.Fukui Univ., 2.Fukui univ.)

Keywords:nitride semiconductor, epitaxial graphene

InNは、様々なデバイスに応用が期待されている。しかしながら、高転位密度などに起因する高い残留キャリア濃度などにより、p型InNの形成は難しい。高品質InN結晶層の成長において、転位密度低減のためには、初期核形成過程のa軸配向性制御が重要な役割を担う。a軸制御のために微細孔を形成した4H-SiC基板上に、Si昇華法を用いて形成したポーラスエピタキシャルグラフェン基板を基板とした際のInN初期核形成について報告する。