15:30 〜 15:45 [19p-CE-6] 新しい光誘起容量電圧法による絶縁膜/ワイドバンドギャップ半導体界面深い準位の検出 〇平岩 篤1,4、大久保 智2、堀川 清貴2、川原田 洋2,3 (1.早大ナノ・ライフ、2.早大理工、3.早大材研、4.名大未来研)