保坂拓己

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発表者・著者、共著者

2018年9月20日(木) 13:30 〜 18:30 234A (234-1)

一般セッション(口頭講演)
| 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
| 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[20p-234A-1~18] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

16:00 〜 16:15

△ [20p-234A-10] 角度制御型マグネトロンスパッタリング装置を用いた酸化亜鉛薄膜の作製と成膜条件の検討

〇保坂拓己^1,2、山形栄人^1,2、大澤健男²、Sergey Grachev³、Herve Montigaud³、石垣隆正¹、大橋直樹² (1.法政大、2.物材機構、3.サンゴバン)