10:00 〜 10:15 [19a-234B-4] Si (100)基板上への配向VO2薄膜の成長 ― 初期過酸化相成長後の基板バイアス印加スパッタ成膜法 ― 〇松岡 耕平1、沖村 邦雄1 (1.東海大院工)