[19a-234B-1~9] 6.4 Thin films and New materials

[19a-234B-4] Oriented growth of VO₂ films on Si (100) substrates - Biased reactive sputtering after the initial growth of VO_x (x>2) phase -

〇Kohei Matsuoka¹, Kunio Okimura¹ (1.Tokai Univ.)

Keywords:VO2, Si, Sputtering

二酸化バナジウム(VO₂)は68℃付近で4~5桁の抵抗値変化が生じるため, Si基板上へ成膜して, CTRサーミスタや光変調器といった応用が期待できる. しかし, VO₂と格子整合を有しないSi基板上への堆積では配向成長しないため, 急峻で大きな抵抗値変化を得ることは難しい. 本研究では基板バイアス印加スパッタ法において, 過酸化相成長後に基板バイアスを印加して成膜することでSi基板上VO₂薄膜の(011)配向成長を観測し, 急峻な3桁近い抵抗値変化が得られたので報告する.