15:30 〜 15:45 [21p-331-7] Al2O3/ZrO2ゲート絶縁膜を使用したことによるGaAsSb/InGaAsダブルゲートトンネルFETの性能改善 〇(M2)青沼 遼介1、木瀬 信和1、宮本 恭幸1 (1.東工大工)