09:30 〜 09:45 [21a-331-3] ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼす水素アニールの効果 〇(M1)古岡 啓太1、久保 俊晴1、江川 孝志1 (1.名工大)