14:45 〜 15:00 [20p-331-5] Si基板上縦型GaN p-nダイオードの破壊電圧に対するSLS層の影響 〇(M1)鳥居 直生1、Debaleen Biswas1、山本 圭司1、江川 孝志1 (1.名工大)