16:00 〜 18:00 [18p-PA6-21] 高圧水蒸気処理を用いたGaOX層形成によるSiO2/GaN界面の特性評価 〇安藤 領汰1、上沼 睦典1、古川 暢昭1、Lin Tengda1、石河 泰明1、浦岡 行治1 (1.奈良先端)