14:30 〜 14:45 △ [20p-221C-4] レーザードーピングを用いた4H-SiC:C面への低抵抗p型コンタクトの形成 〇(M2)岡本 健人1、菊地 俊文1、池田 晃裕2、池上 浩1、浅野 種正1 (1.九大シス情、2.崇城大)