09:45 〜 10:00 [21a-331-4] InAlN/AlN/GaN HEMTにおけるゲートメタル構成の検討(II) 〇山下 良美1、吉田 智洋2、眞壁 勇夫2、渡邊 一世1、井上 和孝2、笠松 章史1 (1.情報通信研究機構、2.住電伝送デバイス研)