14:30 〜 14:45 [20p-133-4] プラズマイオン注入による良好なパッシベーション品質を持つカウンタドープn-a-Si層の形成 〇(P)Huynh ThiCam Tu1、山口 昇2、鈴木 英夫2、大平 圭介1、松村 英樹1 (1.JAIST、2.ULVAC)