[20p-133-1~14] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[20p-133-4] Formation of counter-doped n-a-Si films with good passivation quality by plasma ion implantation

〇(P)Tu ThiCam Huynh¹, Noboru Yamaguchi², Hideo Suzuki², Keisuke Ohdaira¹, Hideki Matsumura¹ (1.JAIST, 2.ULVAC)

Keywords:counter doping, back contact electrodes, plasma ion implantation

シリコン・ヘテロ接合裏面電極型太陽電池の作製工程を簡略化するため、PH3プラズマイオン注入を用い、裏面p-a-Si層の一部をn-a-Siに変換することを試みた。その結果、その変換が可能なこと、変換されたn-a-Si層のパッシベーション性能がp-a-Si層のB濃度に対応したイオン注入条件に強く依存していること、その条件を適切に選べば、イオン注入前のキャリヤ寿命まで回復可能であることを明らかにした。